A Samsung Electronics bejelentette, hogy 2004 m�sodik f�l�v�ben jelenik meg az �j mobil DRAM t�pusa, a 256Mbites, 32 bit sz�les DDR mem�riamodul. Ezeket a high-end 3D j�t�kokat futtat� mobiltelefonokba sz�nj�k, �s az els� mintap�ld�nyok m�r k�szen is vannak.Az �j term�k a Samsung eddigi SDR �s DDR mobil moduljait b�v�ti ki, �s a legkomolyabb ipari elv�r�sokat teljes�ti. A Mobile DDR x 32 modul ak�r 266Mbit/s �tviteli sebess�get k�pes el�rni l�bank�nt, ami 1.064GB/s �tviteli sebess�gnek felel meg. A chip a Samsung 0,10 mikronos gy�rt�stechnol�gi�j�val k�sz�l.
A megold�s t�mogatja a rendk�v�l energiatakar�kos m�k�d�st lehet�v� tev� integr�lt Temperature Compensation Self Refresh Sensors (TCSR), Partial Array Self Refresh (PASR) �s Deep Power Down Mode (DPD) �zemm�dokat is. A Samsung 64-512Mbit adats�r�ss�ggel fogja kiadni a chipeket, melyek ak�r t�bbchipes csomagban (Multi Chip Package, MCP) form�tumban is el�rhet�ek lesznek. Ezek kisebb komplett rendszerek, amelyekbe a DRAM integr�lva van. Ilyenek a NAND Flash, OneNAND Flash, SRAM, UtRAM, �s az ASIC System-in-Package (SIP) megold�sok is.A Samsung a j�v�ben k�l�n�sen nagy figyelmet ford�t majd az egyre n�vekv� mobil szf�r�ra, ahol a 3D j�t�kokat futtat� mobiltelefonok v�rhat�an m�r 2006-ra �ltal�noss� v�lnak. A c�g szerint az �j DDR x 32 mem�ri�ik nagyban el� fogj�k ezt seg�teni, mivel �ltaluk kiakn�zhat� a gyors, mobil grafikus chipek maxim�lis teljes�tm�nye. Az �j DRAM modulok jelent�sen kisebb energiaig�ny�ek, amely r�v�n a telefongy�rt�k j�val nagyobb rendelkez�sre �ll�si id�t biztos�thatnak, r�ad�sul �j funkci�kat, �s kompromisszumok n�lk�li teljes�tm�nyt ny�jtanak b�rmilyen mobil eszk�zben.